IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種電力電子器件，它的工作原理如下：

當門極開路時, IGBT處于零柵壓狀態。 當輸入信號u1作用于CE結兩端而導通電流Ic通過溝道流入SODR之間區域使電壓Ug為負值并具有較大的漏泄流Id(圖2a)。 此時若減小或取消外施直流電源Vgs ，因uo≈0及| Ud|=?Uid (式3) 。 因此由公式4可知Ids將保持不變；即不隨外加vds的增大而成正比關系上升稱之為飽和現象.這種現象是由id=βi+(1+gm/es)(ia_m + id)= i* 的性質所決定的。（其中 ：ia m 為調制泄漏 、gm為單位功率開關效應、 es =Ldi /dt |ces ) ；以上特性使得在同等驅動電流條件下 gm與|ugs|的比值為常數——稱作載波頻率 ——用f表示則為 f= -πGMuds(- duids)/es（-didt）。這樣對于每一個周期內 VDS上給出的電能全部轉化為IDLS因而在此期間可認為負載一直以額定速度進行運行?！鳛榛局R必須牢記！